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随着半导体技术的不断发展，对工艺技术的要求越来越高，特别是对半导体原片的表面质量要求越来越严，其主要原因是圆片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响期间的质量和成品率，半导体圆片暴露在含氧气及水的环境下表面会形成孜然氧化层。这层氧化薄膜不但会妨碍半导体制造的许多工艺，还包含了某些金属杂质，在一定的条件下，他们会转移到圆片中形成电学缺陷。
在集成电路工艺中，氧化是必不可少的一项工艺技术，作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、OLED面板 以及电子纸等新一代显示器的TFT材料候选之一。氧化物半导体是通常容易成为绝缘体的氧化物，但却具有半导体的性质。氧化物半导体材料是由金属与氧形成的化合物半导体材料。它与元素半导体材料相比，结构上多为离子晶体，禁带宽度一般都较大，迁移率较小，化学性质也比较复杂，可因化学计量比的微小偏差，在晶体中造成施主和受主，而这种化学计量比的偏差对气氛和温度是敏感的。
半导体去氧化膜/有机物等离子表面处理杂质的来源比较广泛，如人的皮肤油脂，细菌、机械油等。这类污染物通过在圆片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达圆片表面，导致圆片表面清洗机不彻底，使得金属杂质等污染物在清洗之后仍完整的保留在圆片表面。
在半导体生产工艺中，几乎每道工序中都需要清洗，圆片清洗质量的好坏对器件性能有严重的影响。正式由于圆片清洗是半导体制造工艺中重要、频繁的工艺步骤，而且其工艺质量将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性，所以国内外各大公司、研究机构等清洗工艺的研究一直不断的进行中。
我们国华电子推荐半导体去氧化膜/有机物使用等离子表面处理设备来进行清洗，等离子表面处理设备具有工艺简单。操作方便。没有废料处理和环境污染等问题，常用于光刻胶的去除工艺中，在等离子系统中通入少量的氧气，在强电场作用下，使氧气产生等离子体，迅速使光刻胶氧化成为可挥发性气体状态物质被抽走。等离子清洗技术在工艺中具有操作方便，效率高，表面干净。无划伤，有利于确保产品的质量等优点吗，因此收到越来越多的行业关注。
